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S60N12R

N-Channel MOSFET

Features  60V, 120A,Rds(on)(typ)=6.5mΩ@Vgs=10V  HighRuggedness  Fast Switching  100 Avalanche Tested  Improved dv/dt Capability Description This Power MOSFET is produced using Si-Tech’s advanced Trench MOS Technology. This latest technology has been especially designed to minimize

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

S60N12R

Mosfet

ETC

知名厂家

Mosfet

ETC

知名厂家

Provides a superior operational feel with high-speed tracking in motor drive mode

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ALPS

阿尔卑斯

Diode-Diode Modules

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

Diode-Diode Modules

文件:317.08 Kbytes Page:4 Pages

SIRECTIFIER

矽莱克电子

更新时间:2025-10-24 20:00:00
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