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S4906WB

5 GHz broad band WLAN

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LSTD

莱尔德

包装:袋 描述:RF ANT 5.4GHZ WHIP STR N FEM RF/IF,射频/中频和 RFID RF 天线

ETC

知名厂家

天线

ETC

知名厂家

包装:散装 描述:RF ANT 5GHZ WHIP STR N MALE CONN RF/IF,射频/中频和 RFID RF 天线

ETC

知名厂家

天线

ETC

知名厂家

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

General Description The AO4906 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous

AOSMD

万国半导体

Dual N-Channel MOSFET

■ Features N-Channel 1 ● VDS (V) = 30V ● ID = 8.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

Adjustable RF Inductors

文件:29.55 Kbytes Page:1 Pages

Bourns

伯恩斯

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

文件:1.09623 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Adjustable RF Inductors

文件:29.55 Kbytes Page:1 Pages

Bourns

伯恩斯

更新时间:2025-12-28 23:01:00
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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