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SiC Schottky Barrier Diode

Applications • Power Factor Correction • Solar Inverters • Uninterruptible Power Supplies • DC-DC Converters Features (1) Chip design of 3rd generation (2) Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.) (3) Low total capacitive charge: Qc = 6.5 nC (typ.) (4) Low reverse current: IR = 0.2 μA (typ

TOSHIBA

东芝

SiC Schottky Barrier Diode

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TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-28 15:16:01
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