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TRS2E65H

SiCSchottkyBarrierDiode

Applications •PowerFactorCorrection •SolarInverters •UninterruptiblePowerSupplies •DC-DCConverters Features (1)Chipdesignof3rdgeneration (2)Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) (3)Lowtotalcapacitivecharge:Qc=6.5nC(typ.) (4)Lowreversecurrent:IR=0.2μA(typ

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SiCSchottkyBarrierDiode

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东芝株式会社东芝

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更新时间:2025-7-12 23:00:00
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