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2SK30651000中文资料
2SK30651000数据手册规格书PDF详情
Features
1) Low on resistance.
2) High-speed switching.
3) Optimum for a pocket resource etc. because of undervoltage actuation (2.5V actuation).
4) Driving circuit is easy.
5) Easy to use parallel.
6) It is strong to an electrostatic discharge.
Structure
Silicon N-channel
MOS FET transistor
更新时间：2025-10-10 16:30:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
24+ |
SOT-89 |
6200 |
新进库存/原装 |
|||
ROHM |
05+ |
SOT89 |
1200 |
全新原装进口自己库存优势 |
|||
ROHM |
24+ |
SOT-23 |
1000 |
原装现货假一罚十 |
|||
ROHM |
24+ |
SOT-89 |
1450 |
只做原装正品 |
|||
ROHM |
23+ |
SOT-89 |
10000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
ROHM |
21+ |
SOT89 |
30000 |
全新进口原装现货QQ：505546343手机17621633780曹小姐 |
|||
ROHM |
25+ |
SOP3 |
2987 |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电 |
|||
ROHM |
25+ |
TO-243 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
ROHM |
23+ |
SOT89 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ROHM |
24+ |
SOT89 |
2600 |
原装现货假一赔十 |
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