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SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SK3062 is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 35 A)

RDS(on)2 = 12 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 35 A)

• Low Ciss: Ciss = 5200 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

2SK3062供应商...

更新时间：2026-2-2 10:28:00

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