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SWITCHING
N-CHANNEL POWER MOS FET
INDUSTRIAL USE
DESCRIPTION
The 2SK3062 is N-Channel MOS Field Effect Transistor
designed for high current switching applications.
FEATURES
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 35 A)
RDS(on)2 = 12 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 35 A)
• Low Ciss: Ciss = 5200 pF TYP.
• Built-in gate protection diode
更新时间:2025-10-9 14:04:00
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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50000 |
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NEC |
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TO-263 |
18000 |
专注军工、汽车、医疗、工业等方案配套一站式服务 |
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