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2SK3062-Z中文资料

厂家型号

2SK3062-Z

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245.24Kbytes

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK3062-Z数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SK3062 is N-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on)1 = 8.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 35 A)

RDS(on)2 = 12 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 35 A)

• Low Ciss: Ciss = 5200 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

更新时间:2025-10-9 14:04:00
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