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RJP63K2DPP-M0中文资料

厂家型号

RJP63K2DPP-M0

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7

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJP63K2DPP-M0数据手册规格书PDF详情

1. Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

2. Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.9 V typ

3. High speed switching: tr= 60 ns typ, tf= 200 ns typ.

4. Low leak current: ICES= 1 A max

5. Isolated package TO-220FL

RJP63K2DPP-M0产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP63K2DPP-M0

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-13 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
7523
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
RENESAS/瑞萨
23+
TO-220F
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RENESAS
24+
TO-220F
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
RENESAS
13+
TO-220F
1170
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
PBFREE
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
RENESAS
23+
TO-220F
3670
原厂原装正品
RENESAS
2023+
TO-220F
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
20+
TO-220F
1170
进口原装现货,假一赔十
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百