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RJP60F5DPM中文资料

厂家型号

RJP60F5DPM

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功能描述

600 V - 40 A - IGBT High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJP60F5DPM数据手册规格书PDF详情

600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching

Features

 Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.37 V typ. (IC= 40 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)

 Trench gate and thin wafer technology

 High speed switching

tf= 85 ns typ. (at IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5 , Ta = 25°C, inductive load)

RJP60F5DPM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP60F5DPM

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    600 V - 40 A - IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-14 14:58:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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