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RJH3347中文资料

厂家型号

RJH3347

文件大小

158.32Kbytes

页面数量

7

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

RJH3347数据手册规格书PDF详情

Features

● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.

● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

● Low leak current: ICES = 1 μA max.

● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ., trr = 23 ns typ.

● Isolated package: TO-220FL

更新时间:2025-5-15 14:53:00
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 113805条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为