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NP82N06NLG-S18-AY中文资料
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DESCRIPTION
The NP82N06MLG and NP82N06NLG are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.
FEATURES
• Logic level
• Built-in gate protection diode
• Super low on-state resistance
RDS(on)1 = 7.4 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)
RDS(on)2 = 9.7 mΩ MAX. (VGS = 5 V, ID = 41 A)
• High current rating
ID(DC) = ±82 A
• Low input capacitance
Ciss = 5700 pF TYP.
• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified
NP82N06NLG-S18-AY产品属性
- 类型
描述
- 型号
NP82N06NLG-S18-AY
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 82A TO-262
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
-
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
TO262 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
9000 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-263 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
12500 |
瑞萨全系列在售,终端可出样品 |
|||
24+ |
N/A |
69000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
NEC |
24+ |
TO-263 |
8866 |
||||
NEC |
6000 |
面议 |
19 |
TO-263 |
|||
NEC |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
VB |
21+ |
TO263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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- FYA-R1206ZX-3
- FYA-R1308ZX
- FYA-R1308ZX-1
- FYCL-S11.4X64B2
- FYCL-S18X16B0
- FYCL-S18X16B4
- IPB065N03LG
- IPP015N04NG
- IPP072N10N3G
- LPC11C12FBD48
- NP80N04NDG-S18-AY
- NP80N04PDG-E2B-AY
- NP80N04PLG-E1B-AY
- NP80N055MDG
- NP80N06MLG
- NP82N04MUG-S18-AY
- NP82N04NUG-S18-AY
- NP82N06NLG
- NP90N055VDG
- PCA9512ADP
Datasheet数据表PDF页码索引
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