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NESG340033-T1B中文资料

厂家型号

NESG340033-T1B

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224.8Kbytes

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12

功能描述

NPN Silicon Germanium RF Transistor

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NESG340033-T1B数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The NESG340033 is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.

FEATURES

• NF = 0.65 dB TYP. @ VCE = 3.3 V, IC = 15 mA, f = 1 GHz

• Po (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.3 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz

• OIP3 = 35.5 dBm TYP. @ VCE = 3.3 V, IC (set) = 50 mA, f = 1 GHz

• Maximum stable power gain: MSG =13.0 dB TYP. @ VCE = 3.3 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) : fT = 10 GHz

• This product is improvement of ESD

• 3-pin minimold (33 PKG)

APPLICATIONS

• Suitable for up to 1GHz applications.

e.g. LNA (Low Noise Amplifier) or Power splitter for Digital-TV.

更新时间:2025-10-12 14:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
14+
SOT23-3
107
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
2025+
SOT23
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全新原厂原装产品、公司现货销售
RENESAS
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SOT23-3
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
23+
SOT23-3
107
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
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SOT23-3
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公司只做原装,详情请咨询
RENESAS
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SOT23-3
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原装正品现货支持实单
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电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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进口原装现货,假一赔十
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS/瑞萨
24+
SOT23-3
60000
全新原装现货