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NE350184C中文资料

厂家型号

NE350184C

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223.26Kbytes

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11

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NE350184C数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Super low noise figure and high associated gain

NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz

• Micro-X ceramic (84C) package

APPLICATIONS

• 20 GHz-band DBS LNB

• Other K-band communication systems

NE350184C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE350184C

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2025-10-6 14:14:00
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