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2SK3113B-ZK-E2-AY中文资料

厂家型号

2SK3113B-ZK-E2-AY

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347.16Kbytes

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK3113B-ZK-E2-AY数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3113B is N-channel MOS FET device that features a low gate charge and excellent switching

characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on) = 4.4 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)

• Low gate charge

QG = 7.9 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 2.0 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Avalanche capability ratings

更新时间:2025-11-24 9:01:00
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