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2SK3113B-ZK-E1-AY中文资料

厂家型号

2SK3113B-ZK-E1-AY

文件大小

347.16Kbytes

页面数量

10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

REN2SK3113B-ZK-E1-AY SWITCHING N-CHANNEL

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

2SK3113B-ZK-E1-AY数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3113B is N-channel MOS FET device that features a low gate charge and excellent switching

characteristics, and designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.

FEATURES

• Low on-state resistance

RDS(on) = 4.4 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 1.0 A)

• Low gate charge

QG = 7.9 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 2.0 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Avalanche capability ratings

2SK3113B-ZK-E1-AY产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3113B-ZK-E1-AY

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述

    REN2SK3113B-ZK-E1-AY SWITCHING N-CHANNEL

更新时间:2024-9-22 15:48:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas
21+
2.5K/RT
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
Renesas
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RENESAS/瑞萨器场效应管
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RENESAS/NEC
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RENESAS/瑞萨
23+
TO-252
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 110520条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为