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2SK3109-S中文资料

厂家型号

2SK3109-S

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409.95Kbytes

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10

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

数据手册

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生产厂商

RENESAS

2SK3109-S数据手册规格书PDF详情

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK3109 is N-channel MOS FET device that

features a low on-state resistance and excellent

switching characteristics, and designed for high voltage

applications such as DC/DC converter.

FEATURES

• Gate voltage rating ±30 V

• Low on-state resistance

RDS(on) = 0.4 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 5.0 A)

• Low input capacitance

Ciss = 400 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)

• Avalanche capability rated

• Built-in gate protection diode

• Surface mount device available

2SK3109-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SK3109-S

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

更新时间:2025-11-26 9:29:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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