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RM50N60T2中文资料

厂家型号

RM50N60T2

丝印代码

50N60

封装外壳

TO-220-3L

文件大小

697.38Kbytes

页面数量

9

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

RECTRON

RM50N60T2数据手册规格书PDF详情

General Features

Vds =60V,lo =50A

Rds(on) <20mQ @ Ves=10V.

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stabiity and uniformity with high Ex

Excelent package for good heat dissipation

‘Special process technology for high ESD capabilty

更新时间:2026-7-31 11:06:00
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