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RM50N250T2中文资料

厂家型号

RM50N250T2

丝印代码

50N250

封装外壳

TO-220-3L

文件大小

346.37Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

RECTRON

RM50N250T2数据手册规格书PDF详情

General Features

VDS =250V,ID =50A

RDS(ON) <39 mΩ @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Good stability and uniformity with high Eas

Excellent package for good heat dissipation

Special process technology for high ESD capability

更新时间:2026-7-31 14:02:00
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