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RU40E25L	N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：281.49 Kbytes Page：9 Pages	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
RU40E25L	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：635.89 Kbytes Page：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RU40E25L	Trench MOSFET	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS

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更新时间：2025-9-30 22:59:00

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RU40191S
RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23
RU4953H
RU4953H，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-7-7
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2021-2-18
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2019-11-22