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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
RU40E25L	N-ChannelAdvancedPowerMOSFET 文件：281.49 Kbytes Page：9 Pages	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司
RU40E25L	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：635.89 Kbytes Page：5 Pages	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

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更新时间：2025-8-3 23:00:00

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RU40191S
RU40191S40V190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23
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RU4953H，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
2021-7-7
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2019-11-22