型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed

AnalogPower

General Purpose Packaging Tape

文件:14.65 Kbytes Page:2 Pages

3M

Nytye®Mounting Platforms

文件:241.29 Kbytes Page:1 Pages

HeycoHeyco.

海科

Secondary Side Synchronous Post Regulator

文件:226.91 Kbytes Page:12 Pages

LINER

凌力尔特

59A100V N-CHANNEL POWER MOSFET TRANSISTOR

文件:278.19 Kbytes Page:7 Pages

KIA

可易亚半导体

更新时间:2025-8-6 17:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ADC
25+
QFP208
880000
明嘉莱只做原装正品现货
ADC
23+
QFP208
3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
ADC
22+
QFP208
5000
IDT
25+23+
BGA
21455
绝对原装正品全新进口深圳现货
ADC
24+
QFP208
30000
房间原装现货特价热卖,有单详谈
IDT
2020+
BGA
420
原装现货,优势渠道订货假一赔十
AMOSENSE
24+
2620
ADC
23+
QFP
98900
原厂原装正品现货!!
Eagle-EX
16+
QFP
2500
进口原装现货/价格优势!
ADC
2450+
QFP208
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

RU3710Q数据表相关新闻

  • RU40191S

    RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET RU40191S,漏源电压VDSS为40V,栅源电压VGSS为±20V,TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ(@VGS=10V,IDS=75A)。

    2022-11-23
  • RU40120M

    RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管 RU40120M N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA N 沟道,40V,120A,2.7mΩ@10V RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOS

    2022-11-23
  • RU3560L

    RU3560L,场效应管(MOSFET)

    2022-6-12
  • RU3415BC

    RU3415BC,SOT23-3,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-17
  • RU3415B

    RU3415B,SOT23,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-17
  • RU40120R

    RU40120R ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-1