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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=27.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelPowerTrench짰MOSFET150V,27.4A,19m廓

文件:237.18 Kbytes Page:9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
更新时间:2025-5-23 23:01:01
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