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位置：首页 > IC中文资料 > FDPF190N15A

FDPF190N15A价格

参考价格：￥6.4615

型号：FDPF190N15A 品牌：Fairchild 备注：这里有FDPF190N15A多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDPF190N15A批发/采购报价，FDPF190N15A行情走势销售排行榜，FDPF190N15A报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDPF190N15A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=27.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 19mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

FDPF190N15A

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V，27.4A，19mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 14.7mΩ（典型值）@ VGS = 10V, ID = 27.4A\n•低栅极电荷，QG = 30nC（典型值）\n•低 Crss（典型值56pF）\n•快速开关\n•提高了 dv/dt 性能\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDPF190N15A

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150V, 27.4A, 19m廓

文件：237.18 Kbytes Page：9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

AP190N15F

150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 150V ID =190A - RDS(ON)

APME

永源微电子

AP190N15P

150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 150V ID =190A - RDS(ON)

APME

永源微电子

AP190N15T

150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 150V ID =190A - RDS(ON)

APME

永源微电子

FDPF190N15A产品属性

  • 类型

    描述

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    150

  • VGS Max (V)：

    ±20

  • VGS(th) Max (V)：

    4

  • ID Max (A)：

    27.4

  • PD Max (W)：

    33

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    19

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    19

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    30

  • Ciss Typ (pF)：

    2020

  • Package Type：

    TO-220-3 FullPak

FDPF190N15A供应商更多...

更新时间：2026-8-3 14:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳安居芯科技有限公司
FDPF190N15A
ON/安森美
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FDPF190N15A
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