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RTP315N10F7

Aerospace and defense N-channel 100 V

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

RTP315N10F7

Aerospace and defense N-channel 100 V

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.7mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

ISC

无锡固电

High avalanche ruggedness

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意法半导体

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-18 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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HONEYWELL
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