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315N10F7

High avalanche ruggedness

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 180A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.7mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

ISC

无锡固电

Aerospace and defense N-channel 100 V

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意法半导体

High avalanche ruggedness

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意法半导体

更新时间:2025-12-18 11:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
BUSSMANN巴斯曼熔断器
23+
Fuse
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保

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