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100N03	Rectifier Diodes FEATURES High density cell design for ultra low Rps(on) ® Excellent package for good heat dissipation Fully characterized Avalanche voltage and current ® Special process technology for high ESD capability Good stability and uniformity with high Eas Excellent package for good heat dissipation	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
100N03	丝印代码：100N03；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Featurese 30V, 100A Rosow 3.88mQ@Ves = 10V (Typ) «Advanced Trench Technology + Provide Excellent Rosco and Low Gate Charge « Lead free product is acquired	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
100N03	N-CHANNEL 30V - 0.0045??- 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET??MOSFET Description This MOSFET is the latest refinement of STMicroelectronic unique “Single Feature Size™” stripbased process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics, low gate charge and less critical aligment steps therefore	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
100N03	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.62203 Mbytes Page：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
100N03A	90A竊?0V N-CHANNEL MOSFET 文件：212.13 Kbytes Page：5 Pages	KIA 可易亚半导体	KIA

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更新时间：2026-3-14 8:00:01

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