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RSM2301P

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switch • PA Switch • DC/DC Converters

VBSEMI

微碧半导体

Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output

Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin

NTE

Reflective Photosensor

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PANASONIC

松下

PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications

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NSC

国半

EXCALIBUR 3-STATE-OUTPUT WIDE-BANDWIDTH POWER OPERATIONAL AMPLIFIER

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TI

德州仪器

更新时间:2026-3-16 0:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RSM
20+
SOP
2960
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SOT23
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