RSD050N06TL价格

参考价格:¥1.2157

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RSD050N06TL

4V Drive Nch MOSFET

文件:338.09 Kbytes Page:6 Pages

ROHM

罗姆

RSD050N06TL

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.00487 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G050N06LL uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G050N06LLA uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. AEC-Q101 Qualified Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

4V Drive Nch MOSFET

文件:1.2335 Mbytes Page:7 Pages

ROHM

罗姆

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:2.22973 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

OptiMOS짰 Power-Transistor

文件:451.32 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

RSD050N06TL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RSD050N06TL

  • 功能描述

    MOSFET Nch 60V 5A MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-8 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM(罗姆)
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