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RSB6.8JS2T2R

Ultra Low Capacitance ESD Protection Diode

Features 4 30W peak pulse power(8/20ps) # Ultra low leakage: nA level ® Operating voltage: 5.5V ® Low clamping voltage ® Complies with following standards: — IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +15kV' Contact discharge: +8kV — IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) —IEC61000-4-5 (L

TECHPUBLIC

台舟电子

RSB6.8JS2T2R

封装/外壳:SOT-563,SOT-666 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:LOW CAPACITANCE ZENER DIODE : RO 电路保护 TVS - 二极管

ROHM

罗姆

RSB6.8JS2T2R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RSB6.8JS2T2R

  • 制造商

    ROHM Semiconductor

更新时间:2025-10-22 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM(罗姆)
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SOT563
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