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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=110mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

LowVSWR

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安伦

ANAREN

LowVSWR

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AlNCeramic

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安伦

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HEXFETPowerMOSFET

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IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF
更新时间:2024-6-22 23:00:01
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