型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RQJ0602EGDQATL-E

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • P-Channel • 175 °C Operating Temperature • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available

VBSEMI

微碧半导体

RQJ0602EGDQATL-E

Silicon P Channel MOS FET Power Switching

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RENESAS

瑞萨

Inductive Sensors

BES Q40KFU-PSC20A-S04K Basic features Additional features Factor 1 Approval/Conformity CE UKCA cULus WEEE Basic standard IEC 60947-5-2 Trademark Factor 1

Balluff

巴鲁夫

SMD SHIELDED POWER INDUCTOR

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ABRACON

rack X80 - 6 slots - Redundant PS - Ethernet backplane

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SCHNEIDER

施耐德

rack X80 - 6 slots - Redundant PS - Ethernet backplane

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SCHNEIDER

施耐德

COMPUTER CABLE

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GENERALGeneral Cable Technologies Corporation

通用电气公司美国通用电气公司

RQJ0602EGDQATL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RQJ0602EGDQATL-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon P Channel MOS FET Power Switching

更新时间:2025-8-11 23:39:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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