型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RQA0008NXTL-E

Silicon N-Channel MOS FET

Features • High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65 (f = 520 MHz) • Compact package capable of surface mounting

RENESAS

瑞萨

Inductive Sensors

BES G06ED-NSC40F-BP02 Basic features Approval/Conformity CE UKCA cULus WEEE Basic standard IEC 60947-5-2 Trademark Global

Balluff

巴鲁夫

Photoelectric Sensors

BFB 75K-003-P-02 Basic features Approval/Conformity cULus CE WEEE Basic standard IEC 60947-5-2 Principle of operation Fiber optic device Series 75K Style Square Straight connection

Balluff

巴鲁夫

AMCC Series Cut Core FINEMET® F3CC Series Cut Core

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

10.8 x 4.5 mm Crystal

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TAITIEN

泰艺

Flow Sensors

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Balluff

巴鲁夫

RQA0008NXTL-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RQA0008NXTL-E

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N-Channel MOS FET

更新时间:2025-12-23 16:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESASA
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SOT-89
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公司只做原装 品质保障
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