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Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode

General Description The AO4906 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs make a compact and efficient switch and synchronous rectifier combination for use in DC-DC converters. A Schottky diode is co-packaged in parallel with the synchronous

AOSMD

万国半导体

丝印代码:4906;Dual N-Channel MOSFET

■ Features N-Channel 1 ● VDS (V) = 30V ● ID = 8.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

Adjustable RF Inductors

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BOURNS

伯恩斯

Adjustable RF Inductors

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BOURNS

伯恩斯

更新时间:2026-3-13 22:30:01
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