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N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4611 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 60V,ID =6.3A RDS(ON)

TUOFENG

拓锋半导体

High Q, high self-resonant frequency

Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise

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VHB™ Tape Specialty Tapes

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3M

VHB?줥apes

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3M

Relampable Indicator Light

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VCC

更新时间:2025-12-24 10:31:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOLEX/莫仕
21+
CONNECTOR
120000
长期代理优势供应
molex
23+
针座
5864
原装原标原盒 给价就出 全网最低
MOLEX
24+
DIP
5000
全现原装公司现货
MOLEX/莫仕
24+
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Bourns Inc.
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一级代理,原装现货
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2013+
NA
316
普通
MOLEX
24+
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24659
原装原装原装
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择

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    类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷(TR) 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻

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