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N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4606 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features ● N-Channel VDS = 30V,ID =6.9A RDS(ON)

TUOFENG

拓锋半导体

High Q, high self-resonant frequency

Special Features • High Q, high self-resonant frequency • High voltage application • Single layer or 3-pi universal wound • Low cost • Varnish coated • Operating temperature: phenolic -55 to +125°C iron & ferrite -55 to +105°C • Current to cause 35°C maximum temperature rise

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Complementary High Density Trench MOSFET

文件:317.57 Kbytes Page:7 Pages

TUOFENG

拓锋半导体

Binary reduction valve

文件:99.4 Kbytes Page:1 Pages

FESTOFesto Corporation.

费斯托费斯托(中国)有限公司

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.22669 Mbytes Page:14 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-24 19:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
台产
20+
SOP-8
43000
原装优势主营型号-可开原型号增税票
BOURNS
24+/25+
96
原装正品现货库存价优
MOLEX
24+
SMD
12000
原厂/代理渠道价格优势
BOURNS/伯恩斯
20+
DIP
2000
原装现货
RZC
SOP-8
999999
全新原装正品 一级代理假一罚十 长期有货
MT台湾茂钿
25+
SOP8
15000
全新原装现货,价格优势
TF(拓锋)
23+
SOP-8
917
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET)
BOURNS/伯恩斯
2223+
ZIP-6
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
BOURNS
25+
70
公司优势库存 热卖中!
Bourns(伯恩斯)
24+
标准封装
22663
我们只是原厂的搬运工

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    类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷(TR) 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻

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