| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch Description: The NTE2311 is a silicon NPN transistor in a TO218 type case designed for use in high voltage, high speed switching applications. Features: ● High Blocking Capability: VCEX = 1000V ● Wide Surge Area: ICSM = 55A @ 350V Applications: ● Switchmode Power Supply ● DC/DC and DC/AC Co | NTE |   | ||
PLLatinum??Ultra Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：662.5 Kbytes Page：29 Pages | NSC 国半 | | ||
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PLLatinum??Ultra Low Power Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：662.5 Kbytes Page：29 Pages | NSC 国半 | | ||
DUAL HOT SWAP POWER CONTROLLER WITH INTERDEPENDENT CIRCUIT BREAKER AND POWER-GOOD REPORTING 文件：423.2 Kbytes Page：22 Pages | TI 德州仪器 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
2022+ |
16 |
全新原装 货期两周 |
|||||
NTE |
23+ |
-3 |
39265 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
NTE |
23+ |
65480 |
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NTE ELECTRONICS INC |
2023+ |
SMD |
11270 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
RN2311LF芯片相关品牌
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RN4020-VRMBEC133
进口代理
2023-4-7RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14RN4984FE绝对原装正品现货
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业工厂一站式全套配单服务
2019-1-13
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