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芯片资料

参考价格：￥0.1819

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型号	功能描述	生产厂家&企业
2302	2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz GENERALDESCRIPTION The2302isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding2WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealedpa	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
2302	2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz 文件：78.97 Kbytes Page：2 Pages	GHZTECHGHz Technology GHz Technology
2302	P-CHANNELMOSFETN-CHANNELMOSFET 文件：110.94 Kbytes Page：4 Pages	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
2302	20VN-ChannelEnhancementMOSFET 文件：310.86 Kbytes Page：2 Pages	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2302	NylonHoseClamps 文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	Heyco Heyco

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更新时间：2024-5-21 19:52:02

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RN4020-VRMBEC133
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2023-4-7
RN1723-I/RM100
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2023-3-27
RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔功率1/4W 温度系数±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔功率1/4W 温度系数±50ppm/°C
2020-12-4
RN2706JE
类别分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-阵列-预偏置制造商ToshibaSemiconductorand_Storage 系列- 包装带卷（TR）零件状态有源晶体管类型2PNP-预偏压（双）（耦合发射器）电流-集电极(Ic)（最大值）100mA 电压-集射极击穿（最大值）50V 电阻器-基极(R1)4.7千欧电阻
2020-10-15
RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
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2019-3-14
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2019-1-13