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芯片资料

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更新时间：2024-6-17 18:47:02

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2023-4-7
RN1723-I/RM100
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2023-3-27
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属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔功率1/4W 温度系数±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔功率1/4W 温度系数±50ppm/°C
2020-12-4
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类别分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-阵列-预偏置制造商ToshibaSemiconductorand_Storage 系列- 包装带卷（TR）零件状态有源晶体管类型2PNP-预偏压（双）（耦合发射器）电流-集电极(Ic)（最大值）100mA 电压-集射极击穿（最大值）50V 电阻器-基极(R1)4.7千欧电阻
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