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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO	操作
RN1414_07	Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：184.11 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
KTD1414_07	EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR 文件：455.57 Kbytes Page：2 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC

类型
描述
型号
RN1414_07
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN1414_07供应商更多...

更新时间：2025-11-5 11:16:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装正品现货价格优势有单必成
2022-4-24
RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4
RN2706JE
类别分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装带卷（TR）零件状态有源晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧电阻
2020-10-15
RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14