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RN1206晶体管资料
RN1206别名：RN1206三极管、RN1206晶体管、RN1206晶体三极管
RN1206生产厂家：日本东芝公司
RN1206制作材料：Si-N+R
RN1206性质：表面帖装型 （SMD）
RN1206封装形式：直插封装
RN1206极限工作电压：50V
RN1206最大电流允许值：0.1A
RN1206最大工作频率：<1MHZ或未知
RN1206引脚数：3
RN1206最大耗散功率：0.1W
RN1206放大倍数：
RN1206图片代号：A-57
RN1206vtest：50
RN1206htest：999900
- RN1206atest：0.1
RN1206wtest：0.1
RN1206代换 RN1206用什么型号代替：RN1006,
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1206 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications • With built-in bias resistors. • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • Complementary to RN2201~2206 | TOSHIBA 东芝 |   | |
Type CRG Series 文件：131.66 Kbytes Page：3 Pages | MA-COM | | ||
P-V SERIES, THERMAL SENSITIVE CHIP ATTENUATORS 文件：495.25 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
RF Coated Chokes (Axial Leads) 文件：124.8 Kbytes Page：2 Pages | FRONTIER | | ||
USB 2.0 Common Mode Choke 文件：231.16 Kbytes Page：2 Pages | COILCRAFT | | ||
POLYPROPYLENE and FOIL 文件：56.62 Kbytes Page：9 Pages | EFC | |
RN1206产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1206
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type(PCT Process)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
8250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
TOSHIBA |
24+ |
TO-92S |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO92 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
TOSHIBA |
1049+ |
TO-92 |
200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TOS |
NA |
8553 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
TO-92S(TB) |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
TOSHIBA |
25+23+ |
TO-92S |
20303 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
TOSHIBA |
23+ |
TO-92 |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
KEC |
05+ |
原厂原装 |
1051 |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
TO-92S |
47186 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
RN1206芯片相关品牌
RN1206规格书下载地址
RN1206参数引脚图相关
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2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
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原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
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