位置：首页 > IC中文资料第6551页 > RN1118MFV
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1118MFV | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114MFV to RN2118MFV | TOSHIBA 东芝 |   | |
RN1118MFV | Bias resistor built-in transistor (BRT) | TOSHIBA 东芝 | | |
封装/外壳：SOT-723 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Inst, 1 Pr #16 Str BC, PVC-NYL Ins E2, OS, Blk PVC Jkt, 600V TC 150V NPLF 90C Dry/Wet Product Description UL Instrumentation, 1 Pair 16AWG (7x24) Bare Copper, PVC-NYL Insulation E2 Color Code, Overall Beldfoil® Shield, Black PVC Outer Jacket, 600V TC 150V NPLF 90C Dry/Wet SUN RES DIR BUR | BELDEN 百通 | | ||
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RN1118MFV产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1118MFV
- 功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 50volts 100mA 3Pin 47Kohms x 10Kohms
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 晶体管极性
NPN/PNP
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
200 mA
- 最大工作频率
集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V
- 集电极连续电流
150 mA
- 功率耗散
200 mW
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
16000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-723 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT723 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
|||
TOSHIBA |
25+23+ |
SOT723 |
29598 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT-723 |
60100 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT723 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
TOSHIBA |
19+ |
SOT723 |
20000 |
7800 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2447 |
SOT-3 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
TOSHIBA |
1923+ |
SOT-923 |
35689 |
绝对进口原装现货库存特价销售 |
RN1118MFV芯片相关品牌
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RN1118MFV参数引脚图相关
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- s7200
- s5230
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- s101
- s007
- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
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- RN1203(F)
- RN1203
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- RN1202
- RN1201(F)
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- RN114
- RN112-0.5/02
- RN112-0.4-02
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- RN-111PC
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2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
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只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
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