位置：首页 > IC中文资料第4762页 > RN1116MFV(TPL3)
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Toshiba | ETC |   |
RN1116MFV(TPL3)产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1116MFV(TPL3)
- 功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 50volts 100mA 3Pin 4.7Kohms x 10Kohms
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 晶体管极性
NPN/PNP
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
200 mA
- 最大工作频率
集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V
- 集电极连续电流
150 mA
- 功率耗散
200 mW
- 封装
Reel
更新时间：2025-11-25 20:00:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
16000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
TOSHIBA |
24+/25+ |
3000 |
原装正品现货库存价优 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
SOT723-3 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
|||
TOSHIBA |
2015+ |
SOT-523 |
3400 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
TOSHIBA |
1923+ |
SOT-523 |
35689 |
绝对进口原装现货库存特价销售 |
|||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
2511 |
SOT-423 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT723 |
60000 |
||||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
RN1116MFV(TPL3)芯片相关品牌
RN1116MFV(TPL3)规格书下载地址
RN1116MFV(TPL3)参数引脚图相关
- sa950
- sa28
- s9018
- s9015
- s9014
- s9013
- s8550
- s8050三极管
- s8050
- s7-200
- s7200
- s5230
- s510b
- s1100
- s101
- s007
- rtl8100c
- rs触发器
- rohs指令
- ROHS
- RN1220E
- RN1220B
- RN1220A
- RN1220
- RN122
- RN1211
- RN1210
- RN1209
- RN1208
- RN1207
- RN1206
- RN1205
- RN1204
- RN1203
- RN1202
- RN1201(F)
- RN1201
- RN114
- RN112-0.5/02
- RN112-0.4-02
- RN112-0.4/02
- RN112-0,4-02
- RN112
- RN-111PC
- RN111PC
- RN-111B-W
- RN-111B-S
- RN-111B-R
- RN-111B-EVAL
- RN-111B-E
- RN1119MFV(TPL3)
- RN1118MFV(TPL3)
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- RN1117MFV
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- RN1116(TE85L,F)
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- RN1115MFV(TPL3)
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- RN1114
- RN1113MFV(TPL3)
- RN1113MFV
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- RN1113F
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- RN1113(TE85L,F)
- RN1113(T5L,F,T)
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- RN1112MFV
- RN1112F
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- RN1110
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2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
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原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
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