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RN1112晶体管资料
RN1112别名：RN1112三极管、RN1112晶体管、RN1112晶体三极管
RN1112生产厂家：日本东芝公司
RN1112制作材料：Si-N+R
RN1112性质：表面帖装型 （SMD）
RN1112封装形式：贴片封装
RN1112极限工作电压：50V
RN1112最大电流允许值：0.1A
RN1112最大工作频率：<1MHZ或未知
RN1112引脚数：3
RN1112最大耗散功率：0.1W
RN1112放大倍数：
RN1112图片代号：H-15
RN1112vtest：50
RN1112htest：999900
- RN1112atest：0.1
RN1112wtest：0.1
RN1112代换 RN1112用什么型号代替：DTC124TE,
RN1112价格
参考价格：￥0.4556
型号：RN1112ACT(TPL3) 品牌：Toshiba Semiconductor an 备注：这里有RN1112多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，RN1112批发/采购报价，RN1112行情走势销售排行榜，RN1112报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RN1112 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：267.81 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 |   | |
RN1112 | Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：278.46 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
RN1112 | Bias resistor built-in transistor (BRT) | TOSHIBA 东芝 | | |
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications. • High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. • Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever | TOSHIBA 东芝 | | ||
封装/外壳：SC-75，SOT-416 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：SC-75，SOT-416 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22K, VCEO=5 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：267.81 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications 文件：160.66 Kbytes Page：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications 文件：160.43 Kbytes Page：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
Bias resistor built-in transistor (BRT) | TOSHIBA 东芝 | | ||
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：166.28 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 文件：278.46 Kbytes Page：5 Pages | TOSHIBA 东芝 | | ||
Bias resistor built-in transistor (BRT) | TOSHIBA 东芝 | | ||
1106 Pulsation Dampener & 1112 Pressure Snubber FEATURES: 1106 Horizontal or vertical Installation Self-cleaning Selectable dampening for process medias FEATURES: 1112 All metal construction Many porosity settings available Filter disk, less tendency to clog than orifice type device | ASHCROFT 雅斯科 | | ||
TORQUE PRODUCTS 文件：3.50277 Mbytes Page：32 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Standard Models 文件：163.14 Kbytes Page：4 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 | | ||
Dual/Quad Low Power Precision, Picoamp Input Op Amps 文件：339.66 Kbytes Page：16 Pages | LINEAR | | ||
Dual/Quad Low Power Precision, Picoamp Input Op Amps 文件：339.66 Kbytes Page：16 Pages | LINEAR | |
RN1112产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1112
- 功能描述
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-416
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
24+ |
SOT-523 |
96000 |
原装公司大量现货,欢迎来电 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SOD723-2 |
598000 |
原装现货假一赔十 |
|||
Toshiba |
23+ |
SMD |
12800 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
2450+ |
SOD723-2 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
|||
TOSHIBA |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
24+ |
N/A |
63000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-723 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOT723 |
60000 |
||||
TOSHIBA |
23+ |
SOT-523 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
Bychip/百域芯 |
21+ |
SOT-523 |
30000 |
优势供应 品质保障 可开13点发票 |
RN1112芯片相关品牌
RN1112规格书下载地址
RN1112参数引脚图相关
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2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
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原厂原装 正品现货 价格优势 有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷（TR） 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器） 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
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