VTP Process Photodiodes

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快速响应硅光电二极管

这种快速响应硅光电二极管的感光面积为1.6 mm2，设计用于400 nm至1150 nm之间的光谱响应。\n\n我们的快速响应光电二极管系列设计用于提供低结电容，可实现快速响应能力，并且可以在反向偏置下正常工作以减小电容，从而进一步提高响应速度。在不太注重响应速度的应用中，这些光电二极管还能以光伏模式正常工作。\n\n这些装置在IR光谱范围内具有出色的响应特性，并且能够与埃赛力达红外LED VTE系列完美匹配。\n\n功能与优点：\n\n在近红外光谱范围内可见\n\n线性范围1-2%，可适使用70到 90年\n\n低暗电流\n\n高分流电阻\n\n低结电容\n\n快速响应\n\n高反向 • 感光面积 = 1.6 mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为30 µA，• 暗电流=在50V反向偏压时，最大值为7nA• 结电容 = 最大值6 pF（反向偏压为15 V时）• 击穿电压 = 最低50V• 光谱范围 = 400 nm至1150 nm• 峰值光谱响应=925 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,55A/W• 角响应=50%响应时成±15度，;

封装/外壳：径向，带透镜的金属罐，TO-46-2 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：SENSOR PHOTODIODE 580NM RADIAL 传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Silicon PNP epitaxial planar transistor For digital circuits ■ Features • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts • M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit boa

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Silicon PNP epitaxial planar type For switching/digital circuits ■ Features • Two elements incorporated into one package (Emitter-coupled transistors with built-in resistor) • Reduction of the mounting area and assembly cost by one half ■ Basic Part Number • UNR2112 (UN2112) × 2

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Silicon PNP epitaxial planer transistor For switching/digital circuits ■ Features ● Two elements incorporated into one package. (Emitter-coupled transistors with built-in resistor) ● Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

Photo Interrupters

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