位置:首页 > IC中文资料第4976页 > RN1110(TE85L,F)
型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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200 V - 1,000 V Single Phase Bridge [VOLTAGE MULTIPLIERS INC.] 200 V - 1,000 V Single Phase Bridge 1.4 A - 1.5 A Forward Current 70 ns - 3000 ns Recovery Time | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 | |||
1100 Series Disposable Ear Plugs 文件:303.42 Kbytes Page:2 Pages | 3M | |||
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RN1110(TE85L,F)产品属性
- 类型
描述
- 型号
RN1110(TE85L,F)
- 制造商
Toshiba
- 功能描述
NPN 50V 100mA
- 制造商
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述
Transistor, digital, NPN, RN1110(F)
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ETA |
N/A |
6 |
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E-T-A |
23+ |
2Pin |
29 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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E-T-ACircuitProtectionan |
新 |
13 |
全新原装 货期两周 |
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E-T-A Circuit Protection and C |
2022+ |
9 |
全新原装 货期两周 |
||||
E-T-A |
25+ |
电路保护 |
293 |
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RN1110(TE85L,F)芯片相关品牌
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2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值(欧姆) 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性 参数值 商品目录 金属膜电阻 阻值(欧姆) 1K 精度 ±1%_ 安装类型 通孔 功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装 带卷(TR) 零件状态 有源 晶体管类型 2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装,假一罚十,可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
DdatasheetPDF页码索引
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