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RN1007晶体管资料

  • RN1007别名:RN1007三极管、RN1007晶体管、RN1007晶体三极管

  • RN1007生产厂家:日本东芝公司

  • RN1007制作材料:Si-N+R

  • RN1007性质

  • RN1007封装形式:直插封装

  • RN1007极限工作电压:50V

  • RN1007最大电流允许值:0.1A

  • RN1007最大工作频率:<1MHZ或未知

  • RN1007引脚数:3

  • RN1007最大耗散功率:0.4W

  • RN1007放大倍数

  • RN1007图片代号:A-20

  • RN1007vtest:50

  • RN1007htest:999900

  • RN1007atest:0.1

  • RN1007wtest:0.4

  • RN1007代换 RN1007用什么型号代替:AA1A4P,DTC114YS,UN4214,2SC4048,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RN1007

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

文件:169.56 Kbytes Page:5 Pages

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RN1007

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国半

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

文件:38.41 Kbytes Page:2 Pages

POLYFET

RN1007产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RN1007

  • 制造商

    TOSHIBA

  • 制造商全称

    Toshiba Semiconductor

  • 功能描述

    Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

更新时间:2026-5-15 22:30:00
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