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芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
RN1007	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications 文件：169.56 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
RN1007	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
AT1007	PHASE CONTROL THYRISTOR PHASE CONTROL THYRISTOR Repetitive voltage up to 2400 V Mean on-state current 1270 A Surge current 19 kA	POSEICO	POSEICO
CNA1007H	Photo Interrupter Photo Interrupter For contactless SW, object detection Overview CNA1007H is a transmissive photosensor in which a high efficiency GaAs infrared light emitting diode is used as the light emitting element, and a high sensitivity phototransistor is used as the light detecting element. The two elem	PANASONIC 松下	PANASONIC
DAC1007	uP Compatible, Double-Buffered D to A Converters 文件：369.16 Kbytes Page：22 Pages	NSC 国半	NSC
DAC1007LCN	uP Compatible, Double-Buffered D to A Converters 文件：369.16 Kbytes Page：22 Pages	NSC 国半	NSC
F1007	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR 文件：38.41 Kbytes Page：2 Pages	POLYFET	POLYFET

类型
描述
型号
RN1007
制造商
TOSHIBA
制造商全称
Toshiba Semiconductor
功能描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装正品现货价格优势有单必成
2022-4-24
RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4
RN2706JE
类别分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置制造商 Toshiba Semiconductor and_Storage 系列 - 包装带卷（TR）零件状态有源晶体管类型 2 PNP - 预偏压（双）（耦合发射器）电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 100mA 电压 - 集射极击穿（最大值） 50V 电阻器 - 基极 (R1) 4.7 千欧电阻
2020-10-15
RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14