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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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F1007 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR 文件：38.41 Kbytes Page：2 Pages | POLYFET |   | |
PHASE CONTROL THYRISTOR PHASE CONTROL THYRISTOR Repetitive voltage up to 2400 V Mean on-state current 1270 A Surge current 19 kA | POSEICO | | ||
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uP Compatible, Double-Buffered D to A Converters 文件：369.16 Kbytes Page：22 Pages | NSC 国半 | | ||
uP Compatible, Double-Buffered D to A Converters 文件：369.16 Kbytes Page：22 Pages | NSC 国半 | |
F1007产品属性
- 类型
描述
- 型号
F1007
- 制造商
POLYFET
- 制造商全称
Polyfet RF Devices
- 功能描述
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
POLYFET |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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POLYFET |
26+ |
260 |
现货供应 |
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F0505S-1W ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-11-15
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