位置：首页 > IC中文资料 > RN1/2WS470RFT/BA1
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TYOHM | ETC |   | ||
TYOHM | ETC | | ||
TYOHM | ETC | | ||
TYOHM幸亚 | ETC | | ||
TYOHM幸亚 | ETC | | ||
TYOHM幸亚电阻 | ETC | | ||
TYOHM幸亚电阻 | ETC | |
更新时间：2025-7-20 23:00:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TYOHM幸亚 |
24+ |
NA/ |
200 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
TYOHM |
430 |
||||||
TYOHM |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
TYOHM幸亚电阻 |
23+ |
Axial2.4x6.5mm |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
TYOHM |
24+ |
con |
2500 |
优势库存,原装正品 |
|||
TYOHM |
22+ |
N/A |
2500 |
进口原装,优势现货 |
RN1/2WS470RFT/BA1芯片相关品牌
RN1/2WS470RFT/BA1规格书下载地址
RN1/2WS470RFT/BA1参数引脚图相关
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- RN1103F
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2023-3-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
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2022-4-27RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装正品现货价格优势有单必成
2022-4-24RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值 商品目录金属膜电阻 阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔 功率1/4W 温度系数±50ppm/°C属性参数值 商品目录金属膜电阻 阻值（欧姆）1K 精度±1%_ 安装类型通孔 功率1/4W 温度系数±50ppm/°C
2020-12-4RN2706JE
类别分立半导体产品 晶体管-双极（BJT）-阵列-预偏置 制造商ToshibaSemiconductorand_Storage 系列- 包装带卷（TR） 零件状态有源 晶体管类型2PNP-预偏压（双）（耦合发射器） 电流-集电极(Ic)（最大值）100mA 电压-集射极击穿（最大值）50V 电阻器-基极(R1)4.7千欧 电阻
2020-10-15RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14
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