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参考价格：￥2.1403

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RMW130N03TB	包装：卷带（TR）描述：MOSFET N-CH 30V 13A 8PSOP 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个	ROHM 罗姆	ROHM
PHB130N03LT	TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching applications. The PHP130N03LT is supp	Philips 飞利浦	Philips
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BSO130N03MSG	OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET 文件：318.16 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ130N03LSG	OptiMOS?? Power-MOSFET 文件：339.91 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSZ130N03MSG	OptiMOS?? M-Series Power-MOSFET 文件：334.22 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2025-12-23 23:01:00

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RN1723-I/RM100
RN1723-I/RM100
2023-3-27
RMC04025.1K1%N 电阻器 RMC08055.1K5%N 电阻器多型号量大低价当日发货
RMC04025.1K1%N 电阻器 RMC08055.1K5%N 电阻器多型号量大低价当日发货
2022-9-5
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器 SRAM 存储器 IC 4Mb（512K x 8）
RMLV0408EGSB-4S2
2022-4-27
RMLV0408EGSB-4S2 静态随机存取存储器静态随机存取存储器 4MB 3V X8 TSOP32 45NS -40TO85C
原厂原装正品现货价格优势有单必成
2022-4-24
RN 1/4W 1K F T/B A1
属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C属性参数值商品目录金属膜电阻阻值（欧姆） 1K 精度 ±1%_ 安装类型通孔功率 1/4W 温度系数 ±50ppm/°C
2020-12-4
RN171-I/RM原装MicrochipWiFi模块
只做原装，假一罚十，可开16%增值税票。TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO
2019-3-14