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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=13.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.28Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   | |
650V0.28ohmN-channelMOSFET 文件：2.88615 Mbytes Page：10 Pages | MGCHIP MagnaChip Semiconductor. |  | | |
650V0.28ohmN-channelMOSFET 文件：1.32377 Mbytes Page：10 Pages | MGCHIP MagnaChip Semiconductor. | | | |
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650VSuper-JunctionPowerMOSFET 文件：893.4 Kbytes Page：9 Pages | WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光微无锡紫光微电子有限公司 |  | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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