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MME65R280QRH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 13.8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.28Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

ISC

无锡固电

MME65R280QRH

650V 0.28Ω N-channel MOSFET

 Description MME65R280Q is power MOSFET using Magnachip’s advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of low EMI to

MGCHIP

MME65R280QRH

650V 0.28ohm N-channel MOSFET

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MGCHIP

650V 0.28Ω N-channel MOSFET

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MGCHIP

650V 0.28ohm N-channel MOSFET

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MGCHIP

更新时间:2025-8-17 20:00:00
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    深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729

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  • MMDJ-65608EV-30MQ静态随机存取存储器

    制造商: Microchip 产品种类: 静态随机存取存储器 存储容量: 128 kbit 访问时间: 30 ns 电源电压-最大: 5.5 V 电源电压-最小: 4.5 V 电源电流—最大值: 110 mA 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: Flatpack-32 数据速率: SDR 类型: Asynchronous 商标

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